细粉加工设备(20-400目)
我公司自主研发的MTW欧版磨、LM立式磨等细粉加工设备，拥有多项国家专利，能够将石灰石、方解石、碳酸钙、重晶石、石膏、膨润土等物料研磨至20-400目，是您在电厂脱硫、煤粉制备、重钙加工等工业制粉领域的得力助手。
超细粉加工设备(400-3250目)
LUM超细立磨、MW环辊微粉磨吸收现代工业磨粉技术，专注于400-3250目范围内超细粉磨加工，细度可调可控，突破超细粉加工产能瓶颈，是超细粉加工领域粉磨装备的良好选择。
粗粉加工设备(0-3MM)
兼具磨粉机和破碎机性能优势，产量高、破碎比大、成品率高，在粗粉加工方面成绩斐然。
碳化硅制造原理
一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 ROHM技术社区
2022年12月1日 在新能源汽车、光伏发电、轨道交通和智能电网等领域，碳化硅器件显示出明显的优势。 通过本文介绍的制造工艺，读者能够更好地了解碳化硅器件的特点和制备过程。 关键词： 罗姆SiC功率器件 相关资讯 共模电感：构建未来电子系统的稳定基石碳化硅晶圆：特性与制造，一步了解 碳化硅晶圆的工作流程涉及多个关键步骤，这 碳化硅晶圆：特性与制造，
碳化硅晶圆：特性与制造，一步了解 ROHM技术社区
2024年5月6日 碳化硅晶圆：特性与制造，一步了解 碳化硅晶圆的工作流程涉及多个关键步骤，这些步骤共同确保了碳化硅晶圆的高品质制造，需要制备 碳化硅 晶圆的前驱体。 2020年6月10日 碳化硅的合成、用途及制品制造工艺 碳化硅 (SiC)，又称金刚砂。 1891年美国人艾契逊 (Acheson)发明了碳化硅的工业制造方法。 碳化硅是用天然硅石、碳、木 碳化硅的合成、用途及制品制造工艺
一文为您揭秘碳化硅芯片的设计和制造 电子工程专辑 EE
2024年5月31日 SiC JTE（结延伸区）是用于改善硅碳化物（SiC）功率器件电压阻断能力的结构。 SiC JTE的设计对于实现所需的击穿电压并避免因器件边缘处高电场而导致的过 2019年7月18日 碳化硅（SiC）属于第三代半导体材料，具有1X1共价键的硅和碳化合物，其莫氏硬度为13，仅次于钻石（15）和碳化硼（14）。 据说，SiC在天然环境下非常罕见，最早是人们在太阳系刚诞生的46亿 带你全方位了解碳化硅 (SiC) ROHM技术社区
系列详解第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇材料
2019年6月13日 目前生长碳化硅单晶最成熟的方法是物理气相输运（PVT）法，其生长机理是：在超过2000 ℃高温下将碳粉和硅粉升华分解成为Si原子、Si2C分子和SiC2分子等气相物质，在温度梯度的驱动 2020年6月12日 碳化硅 (SiC)，又称金刚砂。 碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，除作磨料用外，还有很多其他用途。 此外，碳化硅还大量用于 关于碳化硅的合成、用途及制造工艺 21IC电子网
碳化硅技术基本原理 生长、表征、器件和应用 芯知社区
2021年8月8日 《碳化硅技术基本原理 生长、表征、器件和应用》是一本全景式介绍碳化硅及相关技术的专著，内容涵盖碳化硅材料、器件工艺、器件和应用等方面，涉及的主题 2022年11月7日 一、 碳化硅器件制造的工艺流程 碳化硅器件制造环节与硅基器件的制造工艺流程大体类似，主要包括光刻、清洗、掺杂、蚀刻、成膜、减薄等工艺。 不少功率器 碳化硅器件制造工艺与传统硅基制造工艺有什么区别 电子
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2020年3月16日 摘要:碳化硅(silicon carbide,SiC)器件作为一种宽禁带半导体器件,具有耐高压、高温,导通电阻低等优点。近20年来,SiC器件是国内外学术界和企业界的一大研究热点,该文对近些年来不同SiC器件的发展进行分类梳理,介绍二极管、结型场效应晶体管、金氧半场效晶体管、绝缘栅双极型晶体管及门极可断晶闸管 2024年4月10日 碳化硅晶体生长的技术挑战 晶体生长是碳化硅衬底制造过程中的关键环节，面临着多重技术难点。 首先，碳化硅晶体的生长温度超过2300°C，这对温度和压力的控制提出了极高的要求。 此外，碳化硅存在250多种同分异构体，其中以4H SiC 为主流。SIC知识（2）：衬底生产工艺难点碳化硅衬底CSDN博客
碳化硅SiC MOSFET的制造工艺与工作原理 亿伟世
2022年4月28日 碳化硅SiC MOSFET的制造工艺与工作原理 碳化硅，一种不怎么新的材料 史上最早记载的关于SiC材料的实验发生在1849年左右，当时这种材料已被广泛用于制作防弹衣或者磨料。 IGBT的发明者 2019年7月18日 带你全方位了解碳化硅 (SiC) 碳化硅（SiC）属于第三代半导体材料，具有1X1共价键的硅和碳化合物，其莫氏硬度为13，仅次于钻石（15）和碳化硼（14）。 据说，SiC在天然环境下非常罕见，最早是人们在太阳系刚诞生的46亿年前的陨石中，发现了少量 带你全方位了解碳化硅 (SiC) ROHM技术社区
知乎专栏
Explore the Zhihu column for insightful articles and discussions on various topics高端装备制造领域往往涉及复杂结构和精密零部件的制造。光固化增材制造工艺 能够适应各种复杂结构的设计需求，实现高精度、高效率的制造，推动高端装备 制造的创新发展。 f发展前景 随着科技的不断进步和创新，碳化硅陶瓷光固化 增材制造工艺将在未来展现更广阔的应用前景 智能化制造 碳化硅陶瓷光固化增材制造工艺 百度文库
SiC MOSFET的制造工艺与工作原理器件
2021年5月17日 在这类应用中，只能使用IGBT器件。 后来证明，碳化硅（SiC）可以用于制造MOSFET器件，使电路的效率比以往使用IGBT时更高。 最近，SiC引起了广泛关注，这不仅是因为它的特性，还因为该器件与IGBT相比，价格更具竞争力。 另一方面，半导体制造商还在系统层面 知乎 有问题，就会有答案
一文了解碳化硅外延 电子工程专辑 EE Times China
2023年8月17日 一文了解碳化硅外延 碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。 碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多度，且加工周期比较长 2021年7月5日 硅是目前制造芯片和半导体器件最广泛的原材料， 90%以上的半导体产品是以硅为原材料制成的。然而受材料本身特性的限制，硅基功率器件已经渐渐难以满足 5G 基站、新能源车及高铁等新兴应用对器件高功率及高频性能的需求。揭秘第三代芯片材料碳化硅，国产替代黄金赛道澎湃号湃客
知乎专栏 随心写作，自由表达 知乎
知乎专栏 随心写作，自由表达 知乎 VDOM制造碳化硅反射镜的步，就是将碳化硅粉末烧制成整体的反射镜镜坯。 4 米碳化硅反射镜绝不仅仅是看着美丽，要想能够实际工程化应用， 必须达到并保持极高面形精度 （ RMS 值优于 20nm ），而这种高精度面形 美丽的大眼睛：看4米量级碳化硅反射镜是怎样“炼”
碳化硅 MOSFET：综合指南
碳化硅 MOSFET 的工作原理是什么？ 碳化硅场效应晶体管的工作原理是利用 PN 结的电场来控制电流。 当控制电极施加一定电压时，PN 结的电场分布会发生变化，从而控制电流的大小。2024年3月7日 大尺寸、高精度、高质量：突破碳化硅陶瓷3D打印的制造极限 碳化硅（Silicon carbide，SiC）是一种重要的结构陶瓷材料，具有密度低、强度高、耐高温、抗腐蚀、导热系数高、热膨胀系数小等优点，在机械制造、航空航天、石油化工、半导体工业等领域获得了广泛 大尺寸、高精度、高质量：突破碳化硅陶瓷3D打印的制造极限
一文为您揭秘碳化硅芯片的设计和制造 电子工程专辑 EE
2024年5月31日 一文为您揭秘碳化硅芯片的设计和制造 首先，下图是一张制造测试完成了的SiC MOSFET的晶圆(wafer)。 图一制造测试完成了的SiC MOSFET的晶圆 芯片表面一般是如图二所示，由源极焊盘(Source pad)，栅极焊盘 (Gate Pad)和开尔文源极焊盘(Kelvin Source Pad)构成。 有一些只有 2020年6月12日 [导读] 碳化硅 (SiC)，又称金刚砂。碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，除作磨料用外，还有很多其他用途。此外，碳化硅还大量用于制作电热元件硅碳棒。碳化硅的硬度很大,莫氏硬度为95级，仅次于世界上最硬的金刚石 (10级)，具有优良的导热性能，是一种半导体 关于碳化硅的合成、用途及制造工艺 21IC电子网
先进半导体研究院碳化硅芯片怎么制造？（科普视频转发）
2021年8月5日 ，相关视频：碳化硅SIC衬底生产工艺流程#碳化硅抛光液 #半导体抛光液 #砷化镓抛光液 #硅晶圆抛光液 #蓝宝石抛光液，碳化硅的制作步骤，SiC VDMOSFET制备工艺，碳化硅衬底生长过程，芯片制造全流程——6看完就懂！2024年3月6日 增材制造作为一种先进制造技术，能够获得传统机械加工方法难以实现的复杂精细结构，具有更高的灵活性和更快的制造速度，为复杂精细结构碳化硅陶瓷部件的快速、低成本制造提供了新途径。陶瓷增材制造技术通常采用陶瓷粉体、浆料或前驱体为原料，通过粘结剂喷射（BJ）、光固化（SLA和DLP 大尺寸、高精度、高质量：突破碳化硅陶瓷3D打印的制造极限
硅碳化物（SiC）：探索其引人注目的特性与应用领域 eefocus
2019年9月25日 与传统的硅材料相比，碳化硅具有许多突出的特点。 首先，碳化硅的禁带宽度是硅的3倍；其导热率是硅的45倍；击穿电压是硅的8倍；而电子饱和漂移速率则是硅的2倍。 这些特性使得碳化硅非常适合制造耐受高温、高压和大电流的高频大功率器件。 目前 2021年7月4日 揭秘第三代芯片材料碳化硅，国产替代黄金赛道 硅是目前制造芯片和半导体器件最广泛的原材料， 90%以上的半导体产品是以硅为原材料制成的 揭秘第三代芯片材料碳化硅，国产替代黄金赛道芯片碳化硅
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2020年3月16日 摘要:碳化硅(silicon carbide,SiC)器件作为一种宽禁带半导体器件,具有耐高压、高温,导通电阻低等优点。近20年来,SiC器件是国内外学术界和企业界的一大研究热点,该文对近些年来不同SiC器件的发展进行分类梳理,介绍二极管、结型场效应晶体管、金氧半场效晶体管、绝缘栅双极型晶体管及门极可断晶闸管 2024年4月10日 碳化硅晶体生长的技术挑战 晶体生长是碳化硅衬底制造过程中的关键环节，面临着多重技术难点。 首先，碳化硅晶体的生长温度超过2300°C，这对温度和压力的控制提出了极高的要求。 此外，碳化硅存在250多种同分异构体，其中以4H SiC 为主流。SIC知识（2）：衬底生产工艺难点碳化硅衬底CSDN博客
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2022年4月28日 碳化硅SiC MOSFET的制造工艺与工作原理 碳化硅，一种不怎么新的材料 史上最早记载的关于SiC材料的实验发生在1849年左右，当时这种材料已被广泛用于制作防弹衣或者磨料。 IGBT的发明者 2019年7月18日 带你全方位了解碳化硅 (SiC) 碳化硅（SiC）属于第三代半导体材料，具有1X1共价键的硅和碳化合物，其莫氏硬度为13，仅次于钻石（15）和碳化硼（14）。 据说，SiC在天然环境下非常罕见，最早是人们在太阳系刚诞生的46亿年前的陨石中，发现了少量 带你全方位了解碳化硅 (SiC) ROHM技术社区
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2021年5月17日 在这类应用中，只能使用IGBT器件。 后来证明，碳化硅（SiC）可以用于制造MOSFET器件，使电路的效率比以往使用IGBT时更高。 最近，SiC引起了广泛关注，这不仅是因为它的特性，还因为该器件与IGBT相比，价格更具竞争力。 另一方面，半导体制造商还在系统层面 知乎 有问题，就会有答案
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