细粉加工设备(20-400目)
我公司自主研发的MTW欧版磨、LM立式磨等细粉加工设备，拥有多项国家专利，能够将石灰石、方解石、碳酸钙、重晶石、石膏、膨润土等物料研磨至20-400目，是您在电厂脱硫、煤粉制备、重钙加工等工业制粉领域的得力助手。
超细粉加工设备(400-3250目)
LUM超细立磨、MW环辊微粉磨吸收现代工业磨粉技术，专注于400-3250目范围内超细粉磨加工，细度可调可控，突破超细粉加工产能瓶颈，是超细粉加工领域粉磨装备的良好选择。
粗粉加工设备(0-3MM)
兼具磨粉机和破碎机性能优势，产量高、破碎比大、成品率高，在粗粉加工方面成绩斐然。
碳纤维与硅粉合成碳化硅粉料碳纤维与硅粉合成碳化硅粉料碳纤维与硅粉合成碳化硅粉料
碳化硅单晶生长的关键原材料：高纯SiC粉料的合成方法及工艺
2020年11月30日 针对用于单晶生长的高纯碳化硅粉料的合成方法与合成工艺的研究现状，中国电子科技集团公司第二研究所的研究人员曾进行了专门的评述与总结。2020年3月24日 中国电子科技集团公司第二研究所的李斌等采用自蔓延法合成单晶生长用碳化硅粉体，实验中发现高真空条件下合成的碳化硅粉体纯度优于通载气条件下合成的碳 高纯碳化硅粉体合成方法研究现状综述
一种高纯碳化硅粉料制备的方法
CNB公开了三次合成高纯碳化硅粉料的方法，先在高温下利用高纯C粉Si粉初次合成碳化硅，紧接着压碎后高温氧化形成二次碳化硅，最后高温真空脱气，形成三次碳化 2021年11月6日 cnb公开了三次合成高纯碳化硅粉料的方法，先在高温下利用高纯c粉si粉初次合成碳化硅，紧接着压碎后高温形成二次碳化硅，最后高温真空脱气，形成三次碳化硅粉料。应用于半导体领域中的超高纯碳化硅粉制备技术的
SiC涂层在单晶硅用炭/炭热场材料中的应用及研究进展
2020年8月24日 11 包埋法 包埋法常用于 C/CSiC 复合材料体系中碳化硅内涂层的制备，该方法首先用混合粉体将炭/炭复合材料包裹起来， 进而在一定温度下进行热处理， 混 2021年5月28日 本发明涉及碳化硅（sic）合成技术领域，尤其涉及一种避免引入额外组分的碳化硅粉料合成及处理技术。 具体说是一种通过βsic作为隔离层原料、配合隔离层内一 一种碳化硅粉料的合成及处理方法与流程 X技术网
研究方向三：碳化硅纤维增强碳化硅复合材料研究
2018年5月27日 主要开展碳化硅陶瓷先驱体、连续碳化硅纤维、碳化硅基复合材料、陶瓷连接技术和碳化硅评价等研究内容。 面向我国工业界关注的碳化硅包壳材料和新型极端环境能源系统迫切需求的碳化硅结构材 2020年7月3日 研究表明：以硅微粉为硅源通过碳热还原反应制备碳化硅的冶炼温度以14501650℃合理，当以石油焦为还原剂时，冶炼产物中SiC含量最高，品质最好。不同碳源对硅微粉制备碳化硅的影响
国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展 CERADIR
2022年4月24日 反应 烧 结 碳 化 硅 （Reaction Bonded SiliconCarbide，RBSiC）最早由 P Popper 在上世纪 50 年代提出，其工艺过程是将碳源和碳化硅粉混合，通过注浆成型，干压或冷等静压成 2023年11月30日 本专利由湖南金博碳基材料研究院有限公司申请，公开，本发明提供了一种用于合成碳化硅粉料的坩埚及其制备方法、合成装置。 坩埚包括坩埚本体 用于合成碳化硅粉料的坩埚及其制备方法、合成装置
碳纤维粉 百度百科
词条图册更多图册 概述图册(3张) 碳纤维粉(2张) 1/2 碳纤维粉 的概述图 （3张） 词条统计 浏览次数： 编辑次数： 19 次 历史版本 最近更新： 呐爱情漂 （ ） 碳纤维粉 选择朗读音色 成熟女声 成熟男声 磁 2024年1月2日 碳化硅 性质 高纯碳化硅为无色透明结晶或无定形粉末，含杂质的碳化硅为绿色，固溶有炭和金属氧化物杂质则呈黑色。 在常压下2500℃时发生分解。 相对密度320～3 25,介电常数70，室温下电阻率102M．cm。 碳化硅的硬度很高，莫氏硬度为92～95，但比金刚石 碳化硅化工百科 ChemBK
一种高纯碳化硅粉料制备的方法 Google Patents
2015年12月22日 CNA公开了用于半导体单晶生长的高纯碳化硅粉的人工合成方法，主要采用二次合成方法，将硅粉和碳粉混合后，次先低温1500℃合成，然后将一次合成的粉料混合均匀后升高温度到18002000℃进行二次合成，该方法可有效去除硅粉和碳粉 2019年8月24日 中国专利cna公开了一种镀碳化硅层的短切碳纤维，它是一种碳化硅涂层厚度在100～500纳米之间，涂层中的碳化硅是纳米晶，碳化硅晶粒为10～50纳米的短切碳纤维。上述镀碳化硅层的短切碳纤维的制备方法主要是将去除表面胶层的短切碳纤维与纳米硅粉按质量比为8～20：100混合，装填到石墨 一种制备表面具有碳化硅涂层的碳纤维的方法与流程
应用于半导体领域中的超高纯碳化硅粉制备技术的制作方法
2021年11月6日 2100℃进行高温合成，最终获得氮含量在15ppm以下的高纯碳化硅粉体。cna公开了公斤级高纯碳化硅粉的制备方法，该方法首先进行坩埚预处理，先镀碳膜后镀碳化硅膜，然后将硅粉和碳粉混合均匀后放入中频加热炉，在1500 ‑ 1900℃之间高温合成获得公斤级高纯碳化硅粉料。 a公开了 2006年11月15日 本发明的目的在于提供一种针状纳米碳化硅的合成方法，是以碳纤维为碳源，硅蒸汽为硅源制备针状一维纳米碳化硅，这种针状一维纳米碳化硅在碳基体呈发散状生长。 本发明解决其技术问题所采用的技术方案是硅作为起始的原材料首先被置于石墨坩锅里 一种针状纳米碳化硅的合成方法 X技术网
知乎专栏 随心写作，自由表达 知乎
Explore the comprehensive landscape of China's silicon carbide industry and its superior materials for highfrequency, temperatureresistant devices2020年1月9日 西安博尔新材料有限责任公司 是一家专门从事高品质碳化硅（SiC）微粉和晶须及其下游制品等研发、生产、销售的国家级高新技术企业，自主发明实现工业化生产立方碳化硅（βSiC）微粉和晶须的专业企业。 总投资186亿元，生产的立方碳化硅（βSiC）等 西安博尔新材料有限责任公司立方碳化硅微粉立方碳化硅
用于合成碳化硅粉料的坩埚、其制备方法及合成装置与流程
2024年3月12日 2、碳化硅晶体制造行业中，原材料高纯碳化硅粉是由高纯碳粉及高纯硅粉在高温、低压、惰性气体保护的情况下反应合成而来。 但是，因加热器的表面温度不均，导致温度在坩埚表面的温度表现为坩埚底部的温度高，坩埚顶部的温度低。2021年5月28日 对于这些问题，cnb公开了三步合成高纯碳化硅粉料的方法，先通过高温合成碳化硅粉料，然后压碎高温氧化形成二次碳化硅，最后通过高温真空脱气，形成三次碳化硅粉料。一种碳化硅粉料的合成及处理方法与流程 X技术网
用于合成碳化硅粉料的坩埚及其制备方法、合成装置pdf
2024年3月9日 埚在高温下将高纯碳粉和高纯硅粉合成为碳化 硅粉料时，隔热腔可以起到一定的隔热作用，避 免坩埚本体底部的温度过高，从而可以有效缓解 A坩埚本体底部合成的碳化硅粉料由于底部温度 4过高而分解，进而可提高碳化硅粉料的产粉率。 6 7 3 6 6 7 1 1 N C2023年11月30日 本专利由湖南金博碳基材料研究院有限公司申请，公开，本发明提供了一种用于合成碳化硅粉料的坩埚及其制备方法、合成装置。坩埚包括坩埚本体和隔热室；坩埚本体的上端敞口，下端密封，形成容纳腔；隔热室设置在坩埚本体的底部，隔热室与坩埚本体为一专利查询、专利下载就上 用于合成碳化硅粉料的坩埚及其制备方法、合成装置
用于合成碳化硅粉料的坩埚及其制备方法、合成装置
2023年11月30日 本发明提供了一种用于合成碳化硅粉料的坩埚及其制备方法、合成装置。坩埚包括坩埚本体和隔热室；坩埚本体的上端敞口，下端密封，形成容纳腔；隔热室设置在坩埚本体的底部，隔热室与坩埚本体为一体结构，并且隔热室内具有隔热腔。本发明的用于合成碳化硅粉料的坩埚，通过在坩埚本体2024年3月9日 用于合成碳化硅粉料的坩埚、其制备方法及 合成装置 (57)摘要 本发明提供了一种用于合成碳化硅粉料的 坩埚、其制备方法及合成装置。坩埚包括坩埚本 体和隔热室；坩埚本体的上端敞口，下端密封，形 成容纳腔；隔热室包括隔热侧壁、隔热顶板和隔用于合成碳化硅粉料的坩埚、其制备方法及合成装置pdf
碳化硅在导热材料中的应用及其最新研究进展 nchu
其中，碳化硅（SiC）由于具有良好的耐磨性、高温力学性、抗氧化性、宽带隙等特性，在半导体、核能、国防及空间技术等高科技领域具有广阔的应用前景。 除此之外，SiC具有的高导热系数奠定了其在第三代半导体材料中的地位，促进了其在新一代芯片技术和 2024年4月8日 CVD法制备SiC的研究现状与展望* 齐晓丽 西安工业大学图书馆， 0 引言 SiC（碳化硅）是继代半导体材料硅和第二代半导体材料砷化镓后发展起来的新一代半导体材料。 由于碳化硅具有优良的力学性能、高温化学稳定性、电性能和热导性能、良好的耐 CVD法制备SiC的研究现状与展望*西安工业大学图书馆
第七章 精细陶瓷 百度文库
固固反应的应用如碳化硅粉体的合成， 可采用二氧化硅粉末与炭粉在惰性气氛中加热至 1500～1700℃反应生成SiC。 氮化硅粉体的合成常采用固气反应。2024年3月11日 摘要：本发明提供了一种用于合成碳化硅粉料的坩埚、其制备方法及合成装置。坩埚包括坩埚本体和隔热室；坩埚本体的上端敞口，下端密封，形成容纳腔；隔热室包括隔热侧壁、隔热顶板和隔热底板；隔热顶板与隔热侧壁上端连接，隔热顶板设于坩埚本体底部下方；隔热底板与隔热侧壁下端连接 用于合成碳化硅粉料的坩埚、其制备方法及合成装置2024pdf
一种低成本低温合成碳化硅粉料的方法 Google Patents
一种低成本低温制备碳化硅粉的方法，具体步骤如下： (1)配料：原料采用高纯碳纤维和高纯硅粉，按摩尔比1：1的比例混合均匀。 碳纤维直径7μm，长度1mm。 硅粉粒度为50μm。 (2)合成：将所述硅粉和碳纤维放入高度为400mm的加高坩埚中，然后置于中频感应加热 词条图册更多图册 概述图册(3张) 碳纤维粉(2张) 1/2 碳纤维粉 的概述图 （3张） 词条统计 浏览次数： 编辑次数： 19 次 历史版本 最近更新： 呐爱情漂 （ ） 碳纤维粉 选择朗读音色 成熟女声 成熟男声 磁 碳纤维粉 百度百科
碳化硅化工百科 ChemBK
2024年1月2日 碳化硅 性质 高纯碳化硅为无色透明结晶或无定形粉末，含杂质的碳化硅为绿色，固溶有炭和金属氧化物杂质则呈黑色。 在常压下2500℃时发生分解。 相对密度320～3 25,介电常数70，室温下电阻率102M．cm。 碳化硅的硬度很高，莫氏硬度为92～95，但比金刚石 2015年12月22日 CNA公开了用于半导体单晶生长的高纯碳化硅粉的人工合成方法，主要采用二次合成方法，将硅粉和碳粉混合后，次先低温1500℃合成，然后将一次合成的粉料混合均匀后升高温度到18002000℃进行二次合成，该方法可有效去除硅粉和碳粉中的杂质元素。一种高纯碳化硅粉料制备的方法 Google Patents
一种制备表面具有碳化硅涂层的碳纤维的方法与流程
2019年8月24日 中国专利cna公开了一种镀碳化硅层的短切碳纤维，它是一种碳化硅涂层厚度在100～500纳米之间，涂层中的碳化硅是纳米晶，碳化硅晶粒为10～50纳米的短切碳纤维。上述镀碳化硅层的短切碳纤维的制备方法主要是将去除表面胶层的短切碳纤维与纳米硅粉按质量比为8～20：100混合，装填到石墨 2021年11月6日 2100℃进行高温合成，最终获得氮含量在15ppm以下的高纯碳化硅粉体。cna公开了公斤级高纯碳化硅粉的制备方法，该方法首先进行坩埚预处理，先镀碳膜后镀碳化硅膜，然后将硅粉和碳粉混合均匀后放入中频加热炉，在1500 ‑ 1900℃之间高温合成获得公斤级高纯碳化硅粉料。 a公开了 应用于半导体领域中的超高纯碳化硅粉制备技术的制作方法
一种针状纳米碳化硅的合成方法 X技术网
2006年11月15日 本发明的目的在于提供一种针状纳米碳化硅的合成方法，是以碳纤维为碳源，硅蒸汽为硅源制备针状一维纳米碳化硅，这种针状一维纳米碳化硅在碳基体呈发散状生长。 本发明解决其技术问题所采用的技术方案是硅作为起始的原材料首先被置于石墨坩锅里 Explore the comprehensive landscape of China's silicon carbide industry and its superior materials for highfrequency, temperatureresistant devices知乎专栏 随心写作，自由表达 知乎
西安博尔新材料有限责任公司立方碳化硅微粉立方碳化硅
2020年1月9日 西安博尔新材料有限责任公司 是一家专门从事高品质碳化硅（SiC）微粉和晶须及其下游制品等研发、生产、销售的国家级高新技术企业，自主发明实现工业化生产立方碳化硅（βSiC）微粉和晶须的专业企业。 总投资186亿元，生产的立方碳化硅（βSiC）等 2024年3月12日 2、碳化硅晶体制造行业中，原材料高纯碳化硅粉是由高纯碳粉及高纯硅粉在高温、低压、惰性气体保护的情况下反应合成而来。 但是，因加热器的表面温度不均，导致温度在坩埚表面的温度表现为坩埚底部的温度高，坩埚顶部的温度低。用于合成碳化硅粉料的坩埚、其制备方法及合成装置与流程
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