细粉加工设备(20-400目)
我公司自主研发的MTW欧版磨、LM立式磨等细粉加工设备，拥有多项国家专利，能够将石灰石、方解石、碳酸钙、重晶石、石膏、膨润土等物料研磨至20-400目，是您在电厂脱硫、煤粉制备、重钙加工等工业制粉领域的得力助手。
超细粉加工设备(400-3250目)
LUM超细立磨、MW环辊微粉磨吸收现代工业磨粉技术，专注于400-3250目范围内超细粉磨加工，细度可调可控，突破超细粉加工产能瓶颈，是超细粉加工领域粉磨装备的良好选择。
粗粉加工设备(0-3MM)
兼具磨粉机和破碎机性能优势，产量高、破碎比大、成品率高，在粗粉加工方面成绩斐然。
碳化硅工艺设备碳化硅工艺设备碳化硅工艺设备
行 业 研 机械设备 关注碳化硅设备国
2023年2月26日 需求,纳米银烧结设备成为碳化硅封装固化工艺的最核心设备,截至 022 年未实现国产化。根据我们测算,预计2025年国内纳米银烧结设备市场规模为30 亿元。 受益 2022年12月1日 在碳化硅工艺制造过程中，典型的高能离子注入设备主要由离子源、等离子体、吸出组件、分析磁体、离子束、加速管、工艺腔和扫描盘等组成，如图2所示。一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 ROHM技术社区
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关键工艺设备达22种！ 碳化硅半导体材料及器件制造到底有多
2020年10月17日 标签 碳化硅 碳化硅半导体 第三代半导体 高纯碳化硅 芯片 [导读] 以SiC材料为代表的第3代半导体材料及器件产业，将是继风能、太阳能之后又一新兴的大产业。 2023年7月14日 2) 芯片制造和封装制造设备:碳化硅外延设备加速突破。公司由硅片设备延伸至芯片制造和封装制造端, 开发出晶圆及封装端减薄设备、外延设备、LPCVD设备。迈向半导体碳化硅设备龙头,设备零部件协同布局铸造高壁垒+
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国内外碳化硅装备发展状况 SiC产业环节及关键装备 模拟
2023年4月25日 表1 碳化硅器件生产各工艺环节关键设备 13 SiC工艺及装备挑战 目前制约SiC大规模应用仍面临着一些挑战,一是价格成本方面，由于SiC制备困难，材料相对昂 2022年12月15日 事实上，碳化硅衬底制备的关键环节在于长晶工艺，由于碳化硅需要在高温（>2,200℃）、真空环境中生长，对温场稳定性的要求高，生长速度非常缓慢，且无 产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”腾讯新闻
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化学气相沉积法碳化硅外延设备技术进展
2022年8月11日 本文从碳化硅外延生长机理出发,结合反应室设计和材料科学的发展, 介绍了化学气相沉积(CVD) 法碳化硅外延设备反应室、加热系统和旋转系统等的技术进展, 最后 我司碳化硅外延设备采用自主创新的结构设计，同时兼容6英寸、4英寸外延片生长，是一款工艺指标优异、耗材成本低、维护频率低的中国首台完全自主创新的碳化硅外延设备。碳化硅外延设备产品与技术纳设智能官方网站 Naso Tech
化学气相沉积法碳化硅外延设备技术进展
2022年8月11日 摘要大功率电子器件的理想电子材料, 近20年来随着外延设备和工艺技术水平不断, 碳化硅在新能源汽车、 光伏产业、高压输配线和智能电站等领域的应用需求碳化硅器件必须在外延膜上进行加工,因此碳化硅外延设备在整个产业链中占据而且也是整个产业链中最复杂、 最难开发的设备。 本文从 2023年5月4日 碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅是一种半导体，在自然界中以极其罕见的矿物莫 碳化硅 百度百科
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复杂结构碳化硅陶瓷制备工艺的研究进展烧结
2021年8月18日 ZHANG等利用自制的3D打印设备采用自由挤出成型技术进行了复杂结构碳化硅陶瓷制备工艺的探索，高固含量的浆料有利于成型，可减少浆料干燥时开裂的可能性并提高烧结后陶瓷的强度，但会增加挤出难度。岗位职责： 1、碳化硅长晶工艺研发。 任职资格： 1、硕士及以上学历； 2、材料、物理、化学等专业，熟悉碳化硅晶体生长。 优秀人才资深人才，薪资、级别可面议。 职位福利：五险一金、年底双薪、餐补、通讯补助、带薪年假、补充医疗保险 职位亮点 瑞纳智能设备股份有限公司正在招聘碳化硅工艺工程师 (Hefei
机械设备行业周报：关注碳化硅设备国产化突破和加速
2023年2月27日 碳化硅产业资本开支加速，供应链安全可控助力国产碳化硅设备厂商突围 碳化硅晶圆和器件的制备基本工艺流程同硅基半导体基本一致，但部分工艺段使用专用设备，部分需要在硅设备基础上加以改进。 根据我们梳理，目前长晶设备已基本实现国产化，其 2023年7月14日 2) 芯片制造和封装制造设备:碳化硅外延设备加速突破。公司由硅片设备延伸至芯片制造和封装制造端, 开发出晶圆及封装端减薄设备、外延设备、LPCVD设备。尤其在功率半导体方面,公司8 英寸单片式碳化硅外延设备、6英寸双片式碳化硅外延设备技术处国际 迈向半导体碳化硅设备龙头,设备零部件协同布局铸造高壁垒+
产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”腾讯新闻
2022年12月15日 事实上，碳化硅衬底制备的关键环节在于长晶工艺，由于碳化硅需要在高温（>2,200℃）、真空环境中生长，对温场稳定性的要求高，生长速度非常缓慢，且无法观察晶体的生长状况，容易产生异质晶型，难以把控良率。2024年7月5日 VERIC A6151A SiC高温退火炉具有无金属、长寿命的加热系统及特殊设计的高可靠工艺腔室，具备在氩气、氮气和氢气等气体氛围下的高温退火工艺，温度可达2000℃。 主要应用SiC高温离子注入后的高温激活退火，刻蚀后的沟槽平滑等，还可用于GaN晶圆中的掺杂活化及 SiC高温退火炉 产品管理 北方华创
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Candela 8520 光致发光和表面检测系统 KLA
Candela 8520第二代集成式光致发光和表面检测系统，设计用于对碳化硅和氮化镓衬底上的外延缺陷进行高级表征。采用统计制程控制 (SPC)的方法来进行自动晶圆检测，可显著降低由外延缺陷导致的良率损失，最大限度地减少金属有机化学气相沉积 (MOCVD)反应器的工艺偏差，并增加MOCVD反应器的正常运行 2024年5月31日 如果从结构上来说，硅和碳化硅MOSFET是一样的，但是从制造工艺和设计上来说，由于碳化硅材料和硅材料的特性导致它们要考虑的点大部分都不太一样。 比如SiC大量使用了干蚀刻 (Dry etch)，还有高温离子注入工艺，注入的元素也不一样。一文为您揭秘碳化硅芯片的设计和制造 电子工程专辑 EE
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SiC外延炉 中国电子科技集团公司第四十八研究所
第三代宽紧带半导体SiC材料的同质外延生长。 超快速高质量外延生长能力；优良的生长厚度和掺杂浓度均匀性控制水平；满足向大尺寸、厚外延、低缺陷SiC外延材料发展需求。2023年2月26日 硅基半导体基本一致,但部分工艺段使用专用设备,部分需要在硅设备基础上加以改进。根据我们梳理,目前长晶设备已基本实现国产化,其他各工艺环节设备国产化率在0%20% 之间。国产替代空间广阔。集成电路产业链自主可控是国家多次强调的大趋势,伴随《关于做好2023 年中央企业投资管理进一步行 业 研 机械设备 关注碳化硅设备国
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中国SiC碳化硅 East Money Information
2023年2月1日 第四章 产业链上游— 外延 碳化硅外延业定义分类碳化硅外延片制作方法CVD 法制作碳化硅外延技术路线碳化硅外延技术进展碳化硅外延制作设备碳化硅外延成本与价格碳化硅外延产能布局2017年4月9日 在本文中，对近年 来重结晶碳化硅材料的制备工艺、结构与性能特点、 使用性能研究以及材料应用等方面进行了综述。 0* 1 重结晶碳化硅材料的制备工艺研究 重结晶碳化硅材料的制备方法如下:以两种不同 粒度级配的高纯碳化硅为原料，添加适量临时结合剂 重结晶碳化硅材料的制备与应用研究进展
国内SiC碳化硅衬底20强 艾邦半导体网
碳化硅衬底的生产流程包括长晶、切片、研磨和抛光四个环节。 为让大家更加了碳化硅产业链，今天给大家盘点一下国内碳化硅衬底生产企业，据初步统计，国内共20余家碳化硅衬底企业，主要分布在浙江、广东、山西等地。 SiC国内供应商分布图 SiC国内省份 1 天前 本文以研究第三代半导体碳化硅衬底磨抛加工 技术为目的，综述了机械磨抛技术、化学反应磨抛技 术的进展 根据去除机理的不同，划分并总结现有磨 抛技术的特点：传统机械磨抛拥有较高的材料去除 率，但是其加工质量较差，且损伤严重；而化学腐蚀 反应磨抛的加工质量较好，但是较低的材料 碳化硅衬底磨抛加工技术的研究进展与发展趋势 艾邦半导体网
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英罗唯森：开启碳化硅设备先河澎湃号媒体澎湃新闻The
2021年1月15日 无锡英罗唯森科技有限公司是国内领先的碳化硅设备制造商，为化工、医药农药、新能源领域等有耐腐蚀设备需求用户提供技术、解决方案、售后服务以及创新产品，满足其防腐蚀要求。同时该公司还是碳化硅换热器国家行业标准的起草领导企业，也是国内唯一具有碳化硅换热器设计制造ISO9001国际 SiC儡锨影鞍勉乎枕橘芯机，缓鳄祸恳猛臂王页拘森睹皱罗彼。SiC荣溉役鸯凌句 [0001]绍欺嫡犬纱无，逐灭铛帅镣匕捺磺鹉咕疼柳秋，嫉辐贩万赂独耸柠竖水粗侄振尽酪彭，谭果寻舔SiC姑析饺畜缰合猪腹嫡。矛京瘟草骑2HSiC、3CSiC、4HSiC、6HSiC、15RSiC酝，粤厦，蔚锹“ABCB”肌长培赐坝乍撩财跪呜揭4H音 臣婚歇SiC磅腿幌犬凸骤爹蝌焚旁草 知乎
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趋势丨国产碳化硅进击8英寸，竞争将更加激烈且复杂 腾讯网
2023年7月8日 现在6英寸向8英寸扩径的行业趋势明确，如果我们国内设备厂商仍大幅提升6英寸衬底设备产能将面临“投产即落后”的问题。 所以设备厂商在本阶段应该重点突破和布局8英寸衬底设备产能，才能实现弯道超车。 碳化硅市场竞争格局 目前而言，在碳化硅衬底 2024年4月3日 36 氪获悉，中锃半导体（深圳）有限公司（下称「中锃半导体」）完成数千万元人民币天使轮融资。本轮融资由国科京东方、国核曜能、望众投资等共同出资，将主要用于研发平台搭建、原型设备和核心工艺开发、持续吸纳优秀技术人才。开发碳化硅材料深刻蚀工艺，「中锃半导体」完成数千万元
化学气相沉积法碳化硅外延设备技术进展
2022年8月11日 摘要大功率电子器件的理想电子材料, 近20年来随着外延设备和工艺技术水平不断, 碳化硅在新能源汽车、 光伏产业、高压输配线和智能电站等领域的应用需求碳化硅器件必须在外延膜上进行加工,因此碳化硅外延设备在整个产业链中占据而且也是整个产业链中最复杂、 最难开发的设备。 本文从 2023年5月4日 碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅是一种半导体，在自然界中以极其罕见的矿物莫 碳化硅 百度百科
复杂结构碳化硅陶瓷制备工艺的研究进展烧结
2021年8月18日 ZHANG等利用自制的3D打印设备采用自由挤出成型技术进行了复杂结构碳化硅陶瓷制备工艺的探索，高固含量的浆料有利于成型，可减少浆料干燥时开裂的可能性并提高烧结后陶瓷的强度，但会增加挤出难度。岗位职责： 1、碳化硅长晶工艺研发。 任职资格： 1、硕士及以上学历； 2、材料、物理、化学等专业，熟悉碳化硅晶体生长。 优秀人才资深人才，薪资、级别可面议。 职位福利：五险一金、年底双薪、餐补、通讯补助、带薪年假、补充医疗保险 职位亮点 瑞纳智能设备股份有限公司正在招聘碳化硅工艺工程师 (Hefei
机械设备行业周报：关注碳化硅设备国产化突破和加速
2023年2月27日 碳化硅产业资本开支加速，供应链安全可控助力国产碳化硅设备厂商突围 碳化硅晶圆和器件的制备基本工艺流程同硅基半导体基本一致，但部分工艺段使用专用设备，部分需要在硅设备基础上加以改进。 根据我们梳理，目前长晶设备已基本实现国产化，其 2023年7月14日 2) 芯片制造和封装制造设备:碳化硅外延设备加速突破。公司由硅片设备延伸至芯片制造和封装制造端, 开发出晶圆及封装端减薄设备、外延设备、LPCVD设备。尤其在功率半导体方面,公司8 英寸单片式碳化硅外延设备、6英寸双片式碳化硅外延设备技术处国际 迈向半导体碳化硅设备龙头,设备零部件协同布局铸造高壁垒+
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Candela 8520第二代集成式光致发光和表面检测系统，设计用于对碳化硅和氮化镓衬底上的外延缺陷进行高级表征。采用统计制程控制 (SPC)的方法来进行自动晶圆检测，可显著降低由外延缺陷导致的良率损失，最大限度地减少金属有机化学气相沉积 (MOCVD)反应器的工艺偏差，并增加MOCVD反应器的正常运行 2024年5月31日 如果从结构上来说，硅和碳化硅MOSFET是一样的，但是从制造工艺和设计上来说，由于碳化硅材料和硅材料的特性导致它们要考虑的点大部分都不太一样。 比如SiC大量使用了干蚀刻 (Dry etch)，还有高温离子注入工艺，注入的元素也不一样。一文为您揭秘碳化硅芯片的设计和制造 电子工程专辑 EE
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